Знаменитости Видео знаменитостей Новости Отзывы Рейтинг RSS English
Поиск

Популярные
КАМЕНЕВА Ольга Борисовна
ПАСКАЛЬПАСКАЛЬ
Махно НесторМахно Нестор
Гапоненко Николай Григорьевич
ЛЕЖЕ Надежда Петровна
ещё персоны......
Новости
Конструктор сайтов
Бесплатный хостинг
Бесплатно скачать MP3
Библиотека
Всего персон: 23927





Все персоны
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

ЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич

(Известный физик, первооткрыватель физических эффектов, лежащих в основе транзистора)

Комментарии для ЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич
Биография ЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич
загрузка...
фото ЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич
загрузка...
Вадим Евгеньевич Лашкарев родился в 1903 году в Киеве. В этом же городе он получил высшее образование. Затем он работал в Ленинграде.

Первые годы творческой деятельности Лашкарева совпали с годами репрессий, начавшихся после убийства Кирова в 1934 году. Вадим Евгеньевич был арестован и выслан в Архангельск, где заведовал кафедрой физики в мединституте до 1939 года.

Последующие годы жизни Лашкарев провел в Киеве, оставив после себя множество учеников, ставших затем известными учеными.

В 1941 году он опубликовал статью "Исследование запирающих слоев методом термозонда" и в соавторстве с К.М.Косоноговой статью "Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди".

Вадим Евгеньевич установил, что по обе стороны "запорного слоя" расположенного параллельно границе раздела медь-закись меди, знаки носителей тока противоположные. Это явление получило название p-n перехода (p - от positive, n - от negative).

Также Вадимом Евгеньевичем был раскрыт механизм инжекции - важнейшего явления на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы.

Работающий транзистор, сделанный Бардином и Браттейном появился только через семь лет, после статьи Лашкарева.

В 1950 году Вадим Евгеньевич и В.И.Ляшенко опубликовали статью "Электронные состояния на поверхности полупроводника", в которой они описали результаты исследований поверхностных явлений в полупроводниках, положенные в дальнейшем в основу работы интегральных схем на базе полевых транзисторов.

Под руководством в Лашкарева в начале пятидесятых годов в Институте физики НАН Украины было организовано производство точечных транзисторов.

В 1960 году был создан Института полупроводников НАН Украины. Его директором был назначен Вадим Евгеньевич Лашкарев.

В 1974 году академик Вадим Евгеньевич Лашкарев умер.


загрузка...
Комментарии пользователей
Написать комментарий
Написать комментарий
Ссылки по теме:
Лашкарев Петр Александрович
Деньгин Вадим Евгеньевич
Деньгин Вадим Евгеньевич
Булавинов Вадим Евгеньевич
Булавинов Вадим Евгеньевич

Новости по темеЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич:
ЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич, фото, биография
ЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич, фото, биография ЛАШКАРЕВ Вадим Евгеньевич Известный физик, первооткрыватель физических эффектов, лежащих в основе транзистора, фото, биография
RIN.ru - Российская Информационная Сеть
СМИ

Криминал

Мода

ЗВЕЗДНАЯ ЖИЗНЬ

Политика

Театр

Герои

Государство

Искусство

Музыка

Спорт

Бизнес

Культура

Кино

Медицина

Фотомодели

Исторические личности

Наука

Общество

Люди на монетах

Бизнес

Литература


 

 

 

 
Copyright © RIN 2002 - * Обратная связь