Чипы памяти достигли рубежа в 40 нанометров
В воскресенье южнокорейская компания Hynix Semiconductor объявила о создании чипа памяти самой высокой плотности, при его производстве были использованы самые тонкие технологические процессы.
Новый чип Hynix именуется DDR3 DRAM - чип динамической памяти случайного доступа. В нем задействована технология, позволяющая создавать микросхемы толщиной не более 40 нанометров, тот есть этот чип в пять раз тоньше всех ныне существующих.
Нанометр - это одна миллиардная метра. Чем чип тоньше, тем более передовые технологии требуются для изготовления микросхем, которые широко используются в компьютерах и других электронных устройствах.
Что касается нового продукта, то он на 50 процентов более производительный, чем все существующие чипы. При этом при его работе требуется меньше электроэнергии, а также меньше затрат на его производство, отмечается в пресс-релизе Hynix.
По данным компании, массовое производство этой новинки начнется в третьем квартале 2009 года.
Все компании, занимающиеся производством чипов памяти, сильно пострадали от глобального экономического спада. Так, японская Toshiba сократила объемы производства, а ключевые тайваньские фирмы обращаются к правительству за финансовой помощью. В настоящее время выиграют те, кто сможет предложить миру самый эффективный, но и самый дешевый продукт.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
