Hynix и Toshiba займутся разработкой MRAM-памяти
Компании Toshiba и Hynix будут совместно разрабатывать технологии производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
Память MRAM, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и вместе с тем являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.
Сообщается, что Hynix и Toshiba сосредоточат усилия на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми "классическая" технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.
Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, найдёт применение в самых разнообразных устройствах - от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники. Сроки начала массового производства MRAM-чипов компании Hynix и Toshiba не оговаривают.
Подготовлено по материалам Toshiba.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
