ШОТТКИ Вальтер

ШОТТКИ Вальтер
(23.07.1886 - 04.03.1976)

Родился в городе Цюрихе (Швейцария), учился в Берлинском университете, где в 1912 году получил степень доктора философии.

В 1913 - 1914 гг. открыл явление возрастания тока насыщения под действием внешнего ускоряющего электрического поля (эффект Шоттки) и разработал теорию этого эффекта.
В 1915 году изобрел электронную лампу с экранной сеткой.
В 1916 - 1919 гг. работал в лаборатории "Сименс и Гальске", в 1918 году предложил супергетеродинный принцип усиления.
В 1930 - 1923 гг. Шоттки читал лекции в Вюрцбургском университете, а в 1923 - 1927 гг. стал профессором Ростокского университета.
С 1927 года он вновь работает в лаборатории "Сименс и Гальске".
В 1930 году рассмотрел пустые узлы кристаллической решетки, нескомпенсированные атомом в междоузлии ("дефекты Шоттки").
В 1939 году Шоттки исследовал потенциальный барьер, возникающий в приконтактном слое полупроводник-металл, а затем разработал теорию полупроводниковых диодов с таким барьером (диоды Шоттки или диоды с барьером Шоттки).

Шотки предложил механизм проводимости в полупроводниках. Внес большой вклад в изучение процессов, происходящих в электронных лампах и в полупроводниках. Исследования Шоттки относятся к физике твердого тела, термодинамике, статистике, электронике, физике полупроводников.