Ученые создали "вечную" память
Группа ученых из США сконструировала простой электромеханический запоминающий элемент, кодирование информации в котором осуществляется с помощью наночастицы железа, перемещающейся внутри нанотрубки.
Как замечают авторы работы, современные запоминающие устройства демонстрируют плотность записи данных около 10-100 Гбит/кв. дюйм, обеспечивая сохранность информации на период от 10 до 30 лет. Экспериментальные способы записи (к примеру, манипулирование отдельными атомами с помощью сканирующего туннельного микроскопа) предлагают значительно более высокую плотность данных (~ 100 Тбит/кв. дюйм), однако при комнатной температуре закодированная таким образом информация будет храниться не более 10 пикосекунд.
Предложенная конструкция, по словам исследователей, способна обеспечить плотность записи до 1 Тбит/кв. дюйм, и каждый бит при комнатной температуре будет сохранять свое состояние на протяжении более одного миллиарда лет.
В состав разработанного устройства входят полая многослойная углеродная нанотрубка с подведенными к ней контактами и свободно перемещающаяся внутри нее наночастица железа. Формирование структуры с вложенной наночастицей происходит в процессе пиролиза ферроцена Fe(C5H5)2 в атмосфере аргона. При пропускании тока по трубке наночастица начинает перемещаться, изменяя направление движения при смене направления тока и повышая/понижая скорость перемещения в зависимости от величины приложенного напряжения. Состояние бита, таким образом, кодируется положением наночастицы (к примеру, ее нахождение в левой части трубки можно принять за "0", а уход в правую часть обозначить как "1"). Ученые также экспериментально доказали возможность высокоточного управления движением частицы: при подаче очень короткого (~ 20 нс) импульса напряжения амплитудой около 2 В она смещается всего на 3 нм (длина нанотрубки превышает 400 нм).
При проведении тестирования образца записанное состояние бита считывалось прямым наблюдением с помощью просвечивающего электронного микроскопа; очевидно, что на практике такой способ применять невозможно. Исследователям удалось найти решение и этой проблемы: как выяснилось, продольное электрическое сопротивление нанотрубки демонстрирует выраженную зависимость от положения наночастицы. Пробные сеансы считывания, проведенные по такой методике (состоянию "1" соответствовало R > 5 620 Ом, состоянию "0" - R < 5 580 Ом), завершились успешно.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
