Разработана новая технология хранения данных
Компании Intel и Micron Technology сообщили о разработке новой технологии хранения данных на новых носителях памяти формата NAND.
Если ранее NAND-чипы могли хранить в одной ячейке памяти один или два бита информации, то сейчас компании представили трехбитовую технологию, которая к тому же опирается на современный 34-нанометровый технологический процесс производства.
"Фундаментально, это снизит общую стоимость флеш-носителей на базе многоуровневых ячеек MLC",- говорит директор по маркетингу Micron Кевин Килбак.
Традиционно многоуровные NAND-чипы используются в потребительских устройствах хранения данных, таких как флеш-карты или USB-накопители. Однако до сих пор в этих устройствах применялась технология сохранения до двух бит на одну ячейку памяти, передает CyberSecurity. Новая разработка при прочих равных условиях позволит сократить размер чипов на 33% при сохранении объемов.
Сейчас образцы новой памяти производит только компания IM Flash Technologies, являющаяся совместным предприятием Micron и Intel. В обоих компаниях сегодня сообщили, что технология хранения 3 бит на ячейку позволит создавать уже в ближайшие недели самые дешевые и энергоэффективные 32- и 64-гигабайтные модули памяти для разнообразных цифровых устройств.
Поступление новых модулей на массовый рынок ожидается ближе к концу текущего года. "Новая технология позволит компаниям пробиться в самое сердце рынка флеш-памяти, где бюджетные технологии изначально ценились. В итоге, Micron и Intel смогут получать прибыль на убыточном для остальных производителей рынке",- уверен Джим Хэнди, аналитик компании Objective Analysis.
Отметим, что 3-битовая технология Micron и Intel не является дебютантом на рынке. Еще в январе японская Toshiba представила свою 3-битовую технологию хранения данных, однако здесь был использован 43-нанометровый техпроцесс, а сами модули пока так и не дошли до массового рынка. В Toshiba говорят, что могут начать поставку своей разработки также к концу года. Toshiba вела свои разработки в партнерстве с SanDisk.
"Теперь посмотрим, чем ответят корейские Hynix и Samsung, эти две компании традиционно отличались своей склонностью к производству товаров по низким ценам",- говорит Хэнди.
В Intel говорят, что будут создавать на базе новой технологии съемные носители для портативной электроники, однако создавать полноценные компьютерные SSD-накопители на замену жестким дискам компания при помощи 3-битовой технологии пока не намерена.
"Теоретически, мы могли бы взять любой существующий флещ-модуль и переделать его в соответствии с новой технологией, увеличив емкость на треть, либо снизив на треть его физические размеры. Мы работаем по обоим направлениям",- говорит Килбак.
В то же время, Трой Уинслоу, директор по маркетингу NAND-подразделения Intel признал и ряд недостатков новых чипов. Главный их них - недолговечность хранения данных.
"Точно также, как 2-битовая технология MLC не обеспечивает столь же продолжительного хранения данных, как однобитовая SLC (Single Level Cell), трехбитовая технология предполагает еще меньшее число циклов перезаписи и меньшие сроки автономного хранения информации. Именно поэтому пока мы не готовы внедрять новинку в SSD-накопителях, используемых для хранения критически важных данных",- говорит он.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
