Samsung улучшает характеристики памяти ReRAM
Исследователи из Samsung предложили новую технологию изготовления микросхем памяти ReRAM.
ReRAM - это энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом. Ожидается, что микросхемы этого типа будут обладать меньшим энергопотреблением по сравнению с широко распространённой флеш-памятью NAND, значительно превосходя последнюю по быстродействию.
"Самсунг" предлагает отказаться от применения в ReRAM-микрочипах танталовой плёнки (Ta2O5) и использовать в качестве материала, изменяющего сопротивление, асимметричную двухслойную структуру Ta2O5-x/TaO2-x. Благодаря этому, как утверждается, можно добиться увеличения количества циклов перезаписи до одного триллиона, что примерно в миллион раз больше по сравнению с чипами флеш-памяти.
Отмечается, что время переключения ячейки ReRAM-памяти Samsung между двумя состояниями составляет всего 10 наносекунд, что также многократно превосходит показатель флеш-памяти. Кроме того, ReRAM-микросхемы выигрывают по энергопотреблению.
Использовать память нового типа планируется в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах, видеокамерах и прочих гаджетах. Впрочем, о сроках коммерциализации предложенной технологии не сообщается.
Подготовлено по материалам PhysOrg.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
