45-нанометровая микросхема готова
25 января 2006 года корпорация Intel объявила о создании первой в мире полнофункциональной микросхемы статической памяти SRAM емкостью 153 МБ, изготовленной по 45-нанометровой производственной технологии.
Корпорация Intel первой в мире в ноябре 2003 года создала микросхемы SRAM с использованием 65-нанометровой производственной технологии. В настоящее время по этой технологии уже работают две фабрики в штатах Аризона и Орегон, еще две - в Ирландии и в штате Орегон - вступят в строй в этом году.
"Корпорация Intel первой в мире начала массовое производство микросхем по 65-нанометровой технологии. Мы также первыми выпустили работоспособную микросхему, изготовленную с использованием 45-нанометровой технологии. Эти факты подчеркивают лидерство корпорации Intel в технологической и производственной сферах, - подчеркнул Билл Хоулт (Bill Holt), вице-президент и главный менеджер подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel. - Корпорация Intel славится богатой историей технологических инноваций, внедрение которых приносит ощутимую пользу людям. Наша 45-нанометровая технология обеспечит базу для производства ПК с улучшенным соотношением производительности на один ватт потребленной электроэнергии, которые принесут новые возможности для пользователей".
45-нанометровая производственная технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью. Кроме того, более чем на 20% возрастет скорость переключения транзисторов.
Основой 45-нанометрового производственного процесса является 20-нанометровый транзистор, первый образец которого был создан специалистами Intel в 2001 году. Использование таких транзисторов позволит довести рабочую частоту микросхем до 20 ГГц, а рабочее напряжение снизить до 1 В и менее.
Микросхема статической памяти емкостью 153 МБ, изготовленная по 45-нанометровой производственной технологии, содержит более 1 млрд. транзисторов. Ее площадь составляет 0,346 кв. микрона, что составляет менее половины площади аналогичной микросхемы, изготовленной по технологии 65 нанометров. Не являясь серийным образцом, она демонстрирует эффективность технологии, работоспособность процесса и надежность микросхем в преддверии выпуска процессоров и других интегральных микросхем по 45-нанометровой производственной технологии.
Дальнейшим направлением развития 45-нанометрового технологического процесса ученые Intel видят переход к формированию транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (так называемый High-K материал). Ожидается, что эта технология будет внедрена в серийное производство в 2007 году. К этому же году ожидается переход к использованию в производстве 300-мм пластин.
Основой для серийного производства по новой технологии станут новые фабрики, изначально ориентированные на использование 45-нанометрового процесса. Помимо фабрики D1D в штате Орегон, где начиналось освоение 45-нанометрового производственного процесса, Intel строит аналогичную фабрику Fab 32 в штате Аризона. 1 декабря 2005 года Intel объявила о начале строительства 45-нанометровой Fab 28 в г. Кирьят-Гат в Израиле. Предприятие стоимостью $3,5 млрд. рассчитано на использование 300-мм пластин. Ожидается, что серийное производство на нем начнется во второй половине 2008 года.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
