Intel 45-нм - "чипы будущего"
Переход к более тонким нормам техпроцесса продиктован необходимостью улучшения свойств готовых продуктов и наращивания их возможностей, он дает некоторые возможности для совершенствования методов производства и накопления опыта.
В ближайшем обозримом будущем у компании Intel стоит цель - 45-нм техпроцесс производства чипов, который компания намерена начать применять уже в 2010 году.
Трехзатворный логический элемент - транзистор будущего ("tri-gate transistor"), разработанный Intel, позволяет пропускать большее количество электронов, а эта возможность и характеризует конечную скорость процессоров. Такие транзисторы, как ожидается, позволят создавать более быстрые чипы, которые, к тому же, будут потреблять меньше энергии, примерно на 35%. Рост производительности чипов на таких транзисторах должен составить символичные, но весьма ощутимые 45%.
Дизайн такого транзистора существенно отличается от сегодняшних транзисторов, хотя и является CMOS (complementary metal oxide semiconductor)-дизайном. "Частокол-штакетник", как видно на фото, и есть новый тип тройного затвора устройства на пути электронов от истока к стоку. Черная полоса на втором фото есть ничто иное как металлический слой.
Кроме Intel о своей независимой разработке 45-нм техпроцесса сообщила и Texas Instruments.
На текущий момент Intel отказалась от внедрения в производство процессоров технологий с применением углеродных нанотрубок, предложенных компанией IBM, ввиду сложности реализации и дороговизны производства. Майк Майберри (Mike Mayberry) отметил, что подобный дизайн будет и у последующих чипов с 32 и 22-нм техпроцессом, что говорит о том, что закон Мура будет выполняться еще по крайней мере следующие лет 10.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
