Исследователи расширили представления о кремниевых полупроводниках
Стремительный прогресс полупроводникового производства, результатами которого является впечатляющие показатели микроминиатюризации и быстродействия современных полупроводниковых приборов, как ни странно, уживается с тем фактом, что отрасль знания о том, как ведут себя полупроводниковые материалы на микроскопическом уровне, очень и очень молода.
Ученые ищут ответы на основополагающие вопросы.
Эти вопросы касаются процессов, протекающих в чипах, работающих на ошеломительных частотах - напомним, ключи в сегодняшних процессорах успевают изменить свое состояние более миллиарда раз в течение одной секунды.
В рамках исследований полупроводников, американские ученые из университета Висконсина-Мэдисона (University of Wisconsin-Madison) получили новую информацию о поверхностной структуре кремния. В частности, они изучили зонную структуру 7x7 материала Si(111) (на снимке) - наиболее стабильную поверхностную структуру кремния.
По мере уменьшения полупроводниковых приборов, соотношение между поверхностью и толщей кристалла увеличивается. Двухмерные поверхностные структуры сложны для изучения, и инструменты для такой работы появились в руках ученых совсем недавно. Между тем, полученные знания очень важны в прикладном аспекте, поскольку дальнейшее продвижение в сторону уменьшения полупроводниковых приборов и повышения скорости их работы невозможно без четкого понимания процессов, происходящих в материале на микроскопическом уровне.
В результате работы ученые обнаружили действие так называемого механизма "электронно-фононного взаимодействия" (electron-phonon interaction). Кстати, изображение в верхней части снимка отображает типичное проявление этого взаимодействия. Один из исследователей так пояснил суть достижения: "Само по себе электронно-фононное взаимодействие представляет большой научный и практический интерес, поскольку оно является ключевым механизмом сверхпроводимости в обычных условиях". По его мнению, полученные знания могут привести к созданию "конструкторских сверхпроводников" - целенаправленно создаваемых структур на поверхности полупроводника, обладающих свойством сверхпроводимости.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
