Память DDR3 поступила в тестовое производство
Компания Nanya Technology на выставке SemiTech, состоявшейся в Тайпее, представила новые модули оперативной памяти DDR3, работающие на частоте 1066 МГц и имеющие пропускную способность 8,5 Гбайт/с.
Чипмейкер сообщает, что уже во второй половине текущего года компания начнёт тестовое производство представленных устройств, которые будут поставляться незначительному количеству партнеров компании. О пробном производстве говорит и используемый 90-нм техпроцесс - при старте массового изготовления чипов DDR3-памяти компания планирует перейти на более совершенный 70-нм техпроцесс. Согласно планам Nanya Technology, массовое производство и поставки устройств на рынок стартуют только в 2008 году, а пока официальные представители чипмейкера заявляют, что производство устройств памяти DDR3 в ближайшей перспективе не будет приносить сколь заметной прибыли.
Основные характеристики модулей типа DDR3:
- рабочее напряжение 1,5 В;
- архитектура с 8-битной предвыборкой;
- наличие датчика температуры, размещенного непосредственно на кристаллах чипов памяти;
- работа при выставленных значениях CAS-таймингов от 5 до 10;
- поддержка PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh) режимов работы для снижения энергопотребления;
- чипы памяти заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса.
|
