DDR3 в 2007 году и другие планы ProMOS
Состоялся анонс третьего предприятия (Fab 4) производителя памяти ProMOS Technologies, которое будет производить 300-м подложки.
Собственно, сам факт открытия фабрики, которая займется производством NAND-флэш где-то в тайваньском Daya Township, вряд ли бы привлек внимание нашего сайта. Примечательны планы компании, прозвучавшие из уст официальных лиц ProMOS, на событии.
Именно на этой фабрике производитель планирует начать внедрение 60-нм технологического процесса в сотрудничестве с Hynix Semiconductor и с применением 193-нм литографии. Кроме нее будут также использоваться 248-нм литографические инструменты. Массовое производство стартует на Fab 4 в конце 2007 года. Отметим что сейчас в активе производитя лишь 130-нм производство NAND на 200-мм подложках.
На Fab 3 же в сентябре начнется внедрение 70-нм техпроцесса с массовым производством назначенным на второй квартал 2007 года. В настоящий момент предприятие изготавливает 30 тысяч подложек ежемесячно. Данная продукция предназначена для выпуска DRAM, из которой примерно две трети составляет DDR2, а треть - DDR. Если планы по модернизации этого производства осуществятся, ProMOS станет одним из пионеров, освоивших прогрессивную технологию для производства оперативной памяти. На сегодня ближе всех к этому подобрались Samsung и Infineon, остальные производители немного отстают.
ProMOS работает и над освоением DDR3, первые образцы которой компания намерена изготовить в первой половине 2007 года. Отметим, что на этом перспективном направлении тайваньцам помогают совместные разработки, доставшиеся от бывшего партнерства как раз с Infineon Technologies. К сожалению, в массовых количествах DDR3 от ProMOS появится лишь ближе к концу года.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
