Samsung: OneNAND-память становится ещё быстрее
Компания Samsung сообщила о разработке 2-Гбит чипа OneNAND-памяти. Сообщается, что новые микросхемы будут производиться с использованием 60-нм технологии.
Устройства не только вдвое больше по объёму, чем предыдущее поколение OneNAND (1-Гб чипы) - скорость записи увеличилась с 9,3 Мб/с до 17 Мб/с. Скорость последовательного чтения осталась такой же - 108 Мб/с, что значительно выше, чем у NAND-флэш (примерно 27 Мб/с).
Объединяющая в себе такие преимущества NOR-флэш, как надёжность и скорость, с большими объёмами NAND, OneNAND-память найдёт своё применение, например, в гибридных HDD. При этом, объединив восемь таких чипов, можно создать накопитель объёмом 2 Гб со скоростью записи до 136 Мб/с. Думаем, что OneNAND ещё больше "подстегнёт" технологии, которым нужна быстрая энергонезависимая память - Robson, гибридные и твердотельные HDD и так далее.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
