Транзисторы, разработанные NEC, будут иметь 65, 45-нм и даже более тонкий техпроцесс
NEC Corporation также представила новинку "из области транзисторостроения".
Была анонсирована совместная разработка для производства высокопроизводительных SOC-устройств на базе элементов, произведенных по 65-нм и 45-нм нормам. Разработанная технология позволяет производить металлизированные транзисторы с большой диэлектрической постоянной (metal/high-k).
Результаты исследований достигнуты благодаря:
использованию высоконадежного пленочного диэлектрика HfSiON (Hf) и никель-силицидного затвора
устранению влияния фазы кристаллизации на Ni-FUSI затворе
использованию комбинации NiSi (n-FET) и Ni3Si (p-FET) для надежной работы
контролю высоты и ширины затвора
До сегодня существовало несколько проблем, связанных с производством транзисторов подобного рода (metal/high-k), они имели невысокую производительность при длительной работе из-за высокой утечки через ультратонкий стек затвора. Новая технология производства NEC решает эту основную проблему. К тому же, себестоимость производства транзисторов по новой технологии обещает быть ниже. Это позволит создавать портативную потребительскую электронику с очень низким энергопотреблением.
Новая технология производства транзисторов была представлена компанией NEC на прошедшем в США симпозиуме "2006 symposium VLSI".
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
