Американцы создали новый тип энергонезависимой памяти MRAM
Американская компания Freescale объявила о создании чипа магниторезистивной памяти - MRAM (Magnetoresistive RAM).
Среди отличительных особенностей MRAM можно выделить высокую скорость чтения и записи, сравнимую с памятью Static RAM, а также высокий уровень интеграции ячеек.
Хранение данных на чипе осуществляется за счет магнитных, а не электрических свойств. Таким образом память является энергонезависимой, т.е. информация сохраняется на ней даже после отключения питания. Запоминающий элемент MRAM аналогичен магниторезистивной головке жесткого диска.
Производство чипов MRAM объемом 4 ГБ началось на фабрике в Аризоне около двух месяцев назад. За прошедшее время был создан товарный запас. Разработка же данной технологии продолжалась специалистами Freescale в течении 10 лет.
Многие производители чипов, включая IBM, годами разрабатывали подобную технологию, однако Freescale первой удалось создать чип, годный к практическому применению в большинстве современных электронных устройствах.
По мнению специалистов, создание чипа MRAM является наиболее значимым достижением в области памяти за последнее десятилетие. В отличие от флэш-памяти, также способной хранить информацию без подачи питания, MRAM обладает большей скоростью чтения/записи и не теряет характеристик с течением времени.
Новая разрвботка сможет найти свое применение в компьютерах для хранения операционной системы, которая при включении питания будет загружаться значительно быстрее.
|
Головин Александр Павлович
МАКСИМОВА Марина (МакSим)
GUF (Гуф)
АРШАВИН Андрей Сергеевич
АМИРОВ Саид Джапарович
МЕЛЬНИКОВА Даша
ЗАДОРОЖНАЯ Настя (Стася)
СЫЧЕВ Дмитрий
Влад Топалов
ДАФФ Хилари(Hilary Duff)
ШАТУНОВ Юрий Васильевич
